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导读: EMC是电磁兼容,它包括EMIEMS。EMC定义为:设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中的任何设备的任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。EMC整的称呼为电磁兼容。EMP是指电磁脉冲。


5M---20MHZ以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。

1、对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3 圈会对10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用;

2、可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔要闭环。

3、处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

4、在变压器初级绕组上用一根很细的三重绝缘线并绕一个屏蔽绕组,屏蔽绕组的一端接电源端另外一端通过一个电容接到地。

5、可将共模电感改为一边匝数比另一边多一匝,另其有差模的作用。

6、将开关管D极加一小散热片且必需接高压端的负极,变压器的初级起始端连接到MOS管D极。

7、将次级的散热片用一个102的Y电容接到初级的L/N线, 可降低传导干扰。

8、如果加大Y电容传导干扰下来了,则可以改变变压器绕法来改良,可在初次级间加多几层胶带;如果加大Y电容传导干扰未改善,就要改电路可改好不必改变压器绕法。

9、将变压器电感量适当加大,可降低RCC开关电源在半载时的传导干扰。

10、用变压器次级辅助绕组来屏蔽初级主绕组,比用变压器初级辅助绕组来屏蔽初级主绕组,传导整体要好得多。

11、传导整体超标,用示波器看开关管G和D极波形都有重叠的现象,将光藕供电电阻从输出滤波共模电感下穿过接输出正极改接不从大电流下穿过后一切OK。

12、在输入端L线和N线各接一681/250V的Y电容,Y电容另外一端接次级地。

13、将次级的辅助绕组用来屏蔽初级主绕组,可降低传导3-15MHZ干扰。用次级的辅助绕组来屏蔽初级主绕组,比用初级的辅助绕组来屏蔽初级主绕组传导要好得多。

14、在PCB板底层放一层铜片接初级大电容负极。

15、将整个电源用一块铜片包起来, 铜片接初级大电容负极。

16、减小Y电容容量。

对于20--30MHZ

1、对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;

2、调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值;

3、在变压器外面包铜箔,变压器最里层加屏蔽层,调整变压器的各绕组的排布。

4、改变PCB LAYOUT;

5、输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;

6、在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;

7、在变压器与MOSFET之间加磁珠;

8、在变压器的输入电压脚加一个小电容。

9、可以用增大MOS 驱动电阻。

10、可能是电子负载引起的,可改用电阻负载。

11、可将MOS管D 端对地接一个101的电容。

12、可将输出整流二极管换一个积电容小一点的。

13、可将输出整流二极管的RC回路去掉。

14、将输入端加两个Y电容对地,可降低传导25MHZ-30MHZ干扰。

15、紧贴变压器的磁芯上加一铜皮,铜皮连接到地。

16、传导后段25MHZ超标可在输出端加共模电感,也可在开关管源极检测电阻上套一长的导磁力合适的磁珠。

开关电源设计后EMI的实际整改策略--辐射部分

30---50MHZ 普遍是MOS 管高速开通关断引起

1.可以用增大MOS 驱动电阻;

2.RCD 缓冲电路采用1N4007 慢管;

3.VCC 供电电压用1N4007 慢管来解决;

4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;

5.在MOSFET 的D-S 脚并联一个小吸收电路;

6.在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE;

7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;

8.PCB 心LAYOUT 时大电解电容,变压器,MOS 构成的电路环尽可能的小;

9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

50---100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起

1.可以在整流管上串磁珠;

2.调整输出整流管的吸收电路参数;

3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻;

4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。

5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.

200MHZ 以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI 标准。

开关电源EMI的对策处理小结

1、外部构造的屏蔽处理;

2、产品外部的电缆线处理;

3、产品内部的电缆线处理;

4、PCB布线处理;

5、开关电源的振荡频率的选择;

6、IC型号的选择;

7、磁性材料的频率和带宽的选择;

8、变压器的选型、绕法和设计;

9、散热器的接地方式的处理。



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